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Quantitative non-destructive nanoscale characterisation of advanced materials

先进材料的定量无损纳米级表征

基本信息

批准号：
EP/P013562/1
负责人：
Martin Kuball
金额：
$ 18.03万
依托单位：
University of Bristol
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2017
资助国家：
英国
起止时间：
2017 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FP013562%2F1
关键词：
Quantitative non destructive nanoscale characterisation

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为它包含敏感信息，如个人详细信息。

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device thermography

DOI：
10.1016/j.nantod.2021.101206
发表时间：
2021-08
期刊：
Nano Today
影响因子：
17.4
作者：
F. Gucmann;J. Pomeroy;Martin Kuball
通讯作者：
F. Gucmann;J. Pomeroy;Martin Kuball

Thermal Transport in Superlattice Castellated Field Effect Transistors

超晶格城堡型场效应晶体管中的热传输

DOI：
10.1109/led.2019.2929424
发表时间：
2019
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
Middleton C
通讯作者：
Middleton C

Unusual Deformation and Fracture in Gallium Telluride Multilayers.

DOI：
10.1021/acs.jpclett.2c00411
发表时间：
2022-05-05
期刊：
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS
影响因子：
5.7
作者：
Zhou, Yan;Zhou, Shi;Ying, Penghua;Zhao, Qinghua;Xie, Yong;Gong, Mingming;Jiang, Pisu;Cai, Hui;Chen, Bin;Tongay, Sefaattin;Zhang, Jin;Jie, Wanqi;Wang, Tao;Tan, Pingheng;Liu, Dong;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin

Reliability and lifetime estimations of GaN-on-GaN vertical pn diodes

GaN-on-GaN 垂直 pn 二极管的可靠性和寿命估计

DOI：
10.1016/j.microrel.2019.02.013
发表时间：
2019
期刊：
Microelectronics Reliability
影响因子：
1.6
作者：
Rackauskas B
通讯作者：
Rackauskas B

Characterization of trap states in buried nitrogen-implanted ß -Ga2O3

掩埋氮注入 -Ga2O3 中陷阱态的表征

DOI：
10.1063/5.0031480
发表时间：
2020
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Mishra A
通讯作者：
Mishra A

DOI：
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发表时间：
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期刊：
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影响因子：
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作者：
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通讯作者：
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
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作者：
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作者：
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作者：
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Martin Kuball其他文献

Non-Arrhenius Degradation of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Bulk GaN Substrates

在块状 GaN 衬底上生长的 AlGaN/GaN HEMT 的非阿累尼乌斯退化

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
M. Ťapajna;N. Killat;J. Moereke;T. Paskova;K. Evans;J. Leach;X. Li;U. Ozgur;H. Morkoç;K. Chabak;A. Crespo;J. Gillespie;R. Fitch;M. Kossler;D. Walker;M. Trejo;G. Via;J. Blevins;Martin Kuball
通讯作者：
Martin Kuball

Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製

在与 Si 结合的金刚石基底上制造 FET

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
神田進司;山條翔二;Martin Kuball;重川直輝;梁剣波
通讯作者：
梁剣波

Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiNx Deposition

使用 SiNx 沉积控制 AlGaN/GaN HEMT 中缓冲器引起的电流崩塌

DOI：
10.1109/ted.2017.2738669
发表时间：
2017
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
W. M. Waller;M. Gajda;S. Pandey;J. Donkers;D. Calton;J. Croon;J. Sonsky;M. Uren;Martin Kuball
通讯作者：
Martin Kuball

Elimination of Degenerate Epitaxy in the Growth of High Quality B 12 As 2 Single Crystalline Epitaxial Films

高质量B 12 As 2 单晶外延薄膜生长过程中简并外延的消除

DOI：
10.1557/opl.2011.316
发表时间：
2011
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
0
作者：
Yu Zhang;Hui Chen;M. Dudley;Yi Zhang;J. Edgar;Y. Gong;S. Bakalova;Martin Kuball;Lihua Zhang;D. Su;Yimei Zhu
通讯作者：
Yimei Zhu

Growth Mechanisms and Defect Structures of B12As2 Epilayers Grown on 4H-SiC Substrates

4H-SiC 衬底上生长的 B12As2 外延层的生长机制和缺陷结构

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.065
发表时间：
2011
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Yu Zhang;Hui Chen;M. Dudley;Yi Zhang;J. Edgar;Y. Gong;S. Bakalova;Martin Kuball;Lihua Zhang;D. Su;Yimei Zhu
通讯作者：
Yimei Zhu