课题基金 / 基金详情

High performance MOSFETs, bipolar transistors, solar cells, heterostructure devices, IC technology and modelling

High performance MOSFETs, bipolar transistors, solar cells, heterostructure devices, IC technology and modelling
高性能 MOSFET、双极晶体管、太阳能电池、异质结构器件、IC 技术和建模
批准号：
36439-1998
负责人：
Selvakumar, Chetty
金额：
$1.96万
依托单位：
University of Waterloo
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
财政年份：
2001
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2001-01-01 至 2002-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=194156
关键词：
performanceMOSFETsbipolartransistorssolar

项目摘要

项目成果

Selvakumar, Chetty的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
High permittivity (high-k) material gate for MOSFETs and other devices
  • 批准号：
    36439-2006
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.24万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位：
    University of Waterloo
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号：
    36439-2002
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.75万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位：
    University of Waterloo
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号：
    36439-2002
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.75万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位：
    University of Waterloo
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号：
    36439-2002
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.75万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位：
    University of Waterloo
国内基金
海外基金
基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
碳化硅功率MOSFETs粒子辐射效应机理及低载流子寿命控制加固方法研究
  • 批准号：
    61904044
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    于成浩
  • 依托单位：
    杭州电子科技大学
高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究
  • 批准号：
    61404098
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2014
  • 负责人：
    宋庆文
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
随机掺杂纳米SOI MOSFETs器件模型研究
  • 批准号：
    61306111
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    28.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    张国和
  • 依托单位：
    西安交通大学