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High performance MOSFETs, bipolar transistors, heterojunction devices, IC technology and modelling

High performance MOSFETs, bipolar transistors, heterojunction devices, IC technology and modelling
高性能 MOSFET、双极晶体管、异质结器件、IC 技术和建模
批准号：
36439-1994
负责人：
Selvakumar, Chetty
金额：
$1.77万
依托单位：
University of Waterloo
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
财政年份：
1994
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
1994-01-01 至 1995-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=44173
关键词：
performanceMOSFETsbipolartransistorsheterojunction

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High permittivity (high-k) material gate for MOSFETs and other devices
  • 批准号：
    36439-2006
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.24万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位：
    University of Waterloo
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号：
    36439-2002
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.75万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位：
    University of Waterloo
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号：
    36439-2002
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.75万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位：
    University of Waterloo
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号：
    36439-2002
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.75万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位：
    University of Waterloo
国内基金
海外基金
基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
碳化硅功率MOSFETs粒子辐射效应机理及低载流子寿命控制加固方法研究
  • 批准号：
    61904044
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    于成浩
  • 依托单位：
    杭州电子科技大学
高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究
  • 批准号：
    61404098
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2014
  • 负责人：
    宋庆文
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
随机掺杂纳米SOI MOSFETs器件模型研究
  • 批准号：
    61306111
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    28.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    张国和
  • 依托单位：
    西安交通大学