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High performance MOSFETs, bipolar transistors, heterojunction devices, IC technology and modelling
高性能 MOSFET、双极晶体管、异质结器件、IC 技术和建模
基本信息
- 批准号：36439-1994
- 负责人：
- 金额：$ 1.77万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：1995
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1995-01-01 至 1996-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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- 资助金额：
$ 1.77万 - 项目类别：
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36439-2002 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 1.77万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
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36439-2002 - 财政年份：2002
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High performance MOSFETs, bipolar transistors, solar cells, heterostructure devices, IC technology and modelling
高性能 MOSFET、双极晶体管、太阳能电池、异质结构器件、IC 技术和建模
- 批准号：
36439-1998 - 财政年份：1999
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36439-1998 - 财政年份：1998
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- 批准号：
36439-1994 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 1.77万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
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