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Toughening of silicon carbide based ceramics
碳化硅基陶瓷的增韧
基本信息
- 批准号：148293-1992
- 负责人：
- 金额：$ 3.42万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Collaborative Research and Development Grants
- 财政年份：1993
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1993-01-01 至 1994-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Krstic, Vladimir其他文献
Min-proteins oscillations in E-coli:: Three-dimensional off-lattice stochastic reaction-diffusion model
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The effect of SiC addition on photoluminescence of YAG:Ce phosphor for white LED
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Toughening of SiC matrix with in-situ created TiB2 particles
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- 影响因子：5.2
- 作者：
Bucevac, Dusan;Boskovic, Snezana;Krstic, Vladimir - 通讯作者：
Krstic, Vladimir
Krstic, Vladimir的其他文献
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Fabrication and testing red-emitting ceramic phosphor for laser phosphor projection
用于激光荧光粉投影的红光陶瓷荧光粉的制造和测试
- 批准号：
477319-2014 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
Fabrication and testing red-emitting ceramic phosphor for laser phosphor projection
用于激光荧光粉投影的红光陶瓷荧光粉的制造和测试
- 批准号：
477319-2014 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
Sintering of ultra high purity alumina powders
超高纯氧化铝粉末的烧结
- 批准号：
476435-2014 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Engage Grants Program
Process optimization of high toughness, high strength zirconia ceramics for resistance welding
电阻焊用高韧性、高强度氧化锆陶瓷工艺优化
- 批准号：
463081-2014 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Idea to Innovation
Development of high toughness silicon nitride ceramics
高韧性氮化硅陶瓷的研制
- 批准号：
36354-2009 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Development of high toughness silicon nitride ceramics
高韧性氮化硅陶瓷的研制
- 批准号：
36354-2009 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
New generation of zirconia-based guide pins for resistant welding
用于电阻焊的新一代氧化锆基导销
- 批准号：
437656-2012 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Idea to Innovation
Depositon of barium titanate on high surface area aluminum substrate
高表面积铝基板上沉积钛酸钡
- 批准号：
417498-2011 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Engage Grants Program
Substitution of polymer-based material by alumina in microwave heating devices
在微波加热装置中用氧化铝替代聚合物基材料
- 批准号：
428388-2011 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Engage Grants Program
相似国自然基金
用于强磁场的位置灵敏型探测器技术研究
- 批准号：11175200
- 批准年份：2011
- 资助金额：68.0 万元
- 项目类别：面上项目
基于有源微环谐振器的高速光学比特存储的机理与器件研究
- 批准号：61006045
- 批准年份：2010
- 资助金额：23.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
Silicon-Tethered 分子内 Corey-Chaykovsky 反应和 Tandem Heterocyclopropylolefin 环化反应研究
- 批准号：20802044
- 批准年份：2008
- 资助金额：18.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究
- 批准号：60776018
- 批准年份：2007
- 资助金额：34.0 万元
- 项目类别：面上项目
表面等离子共振增强硅基发光研究
- 批准号：60606001
- 批准年份：2006
- 资助金额：28.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Advancing bioelectronics with silicon carbide on microfluidics
利用碳化硅微流体技术推进生物电子学
- 批准号：
DE240100408 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Discovery Early Career Researcher Award
SBIR Phase I: Silicon Carbide Radio Frequency Switches
SBIR 第一阶段：碳化硅射频开关
- 批准号：
2334387 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Standard Grant
Elucidation of Carrier Transport in Silicon Carbide MOSFETs and Demonstration of Integrated Circuits Operating at High Temperatures
碳化硅 MOSFET 中载流子传输的阐明以及高温下运行的集成电路的演示
- 批准号：
23KJ1387 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SBIR Phase I: Radiation Tolerant, High-Voltage, Silicon Carbide Devices
SBIR 第一阶段：耐辐射、高压、碳化硅器件
- 批准号：
2304486 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
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High-Density Active Silicon Carbide Power Electronics: Enabling Responsive Power Conversion
高密度活性碳化硅电力电子器件：实现响应式电力转换
- 批准号：
EP/Y000307/1 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Research Grant
Next Generation Silicon-Carbide MOSFETs for Electrification and Renewable Energies
用于电气化和可再生能源的下一代碳化硅 MOSFET
- 批准号：
10072835 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Grant for R&D
Cosmic ray immunity of silicon carbide power electronic devices. Category Microelectronic device technology - Energy
碳化硅电力电子器件的宇宙射线抗扰度。
- 批准号：
2871797 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Studentship
Enabling clinical tissue microstructure imaging as a diagnostic tool in wide-bore 3T MRI
将临床组织微观结构成像作为大口径 3T MRI 的诊断工具
- 批准号：
10640750 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
ERI: Additive Manufacturing of Polymer-Matrix Composites with High Concentration of Silicon-Carbide Particles by Novel Digital Light Projection
ERI：通过新型数字光投影增材制造高浓度碳化硅颗粒的聚合物基复合材料
- 批准号：
2301462 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
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Developing Semi-Insulating Silicon Carbide Epitaxy
开发半绝缘碳化硅外延
- 批准号：
2678922 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.42万 - 项目类别：
Studentship