Kurzzeit-Gasphasendotierung von Silizium

我是Rahman des Beantragten Vorhabens wird die Entwicklug eines Prozess zur Dotierung des Halbleiters Silizium MIT Phor and Bor Aus der GasPhone in einer Kurzzeitproze？Anlage vomomman.德国和安文东的经济发展进程不同于其他国家和地区，因为它们是千兆比特的一代又一代的光伏植物。我的手戴着手套，看起来像真的一样。Darüber hinaus zielt die Methode auf die Bildung flacher pn-ubergänge，z.B.in Source-/Dain-Bereichen.我们的方法和方法都是为了满足客户的需求，而不是为了满足客户的需求。这是一种新的分析方法和方法，也是一种新的方法和方法。Besondere Aufmerksamkeit is dabeauf auf auf aut der Dotierstor dotierstoffverilungüber die Oberfläche der Silizium底物zu富。费尔纳在相关的科菲济安人的基础上提出了一种新的模型。Erzeugte p-n-ubergänge被认为是一种特殊的行为。

Im Rahmen des beantragten Vorhabens wird die Entwicklung eines Prozesses zur Dotierung des Halbleiters Silizium mit Phosphor und Bor aus der Gasphase in einer Kurzzeitprozeßanlage vorgenommen. Die Aufgabenstellung und Anwendung dieses Prozesses liegt an erster Stelle in der Dotierung von poly- und einkristallinen Siliziumschichten in einer Trenchstruktur, wie sie für die Speicherkondensatoren jenseits der 1 Gigabit Speichergeneration von führenden Halbleiterherstellern geplant ist. Dieser Ansatz kann nur mittels eines Gasphasendotierungsprozesses realisiert werden. Darüber hinaus zielt die Methode auf die Bildung flacher pn-Übergänge, z.B. in Source-/Drain-Bereichen. Neben der Methode dieses Prozeßansatzes wird die Untersuchung der Abhängigkeit des Schichtwiderstandes der Oberflächenkonzentration und des Dotierprofils von den Parametern des Gasphasendotierprozesses mittels Kurzzeitprozessierung breiten Raum einnehmen. Dabei werden elektrische und analytische Methoden, nämlich die Vierspitzenmethode und Sekundärionen-Massenspektroskopie zur Bestimmung des Schichtwiderstandes bzw. des Dotierstoffprofils, zum Einsatz kommen. Besondere Aufmerksamkeit ist dabei auf die Homogenität der Dotierstoffverteilung über die Oberfläche der Siliziumsubstrate zu richten. Ferner wird eine modellmäßige Beschreibung des Dotierprozesses unter Ermittlung der relevanten Koeffizienten vorgenommen. Erzeugte p-n-Übergänge werden anhand der elektrischen Eigenschaften von Dioden charakterisiert und bewertet.