Chemische Gasphasenabscheidung dünner Silberschichten aus metallorganischen Precursoren

Für Anwendungen in der Mikroelektronik and Mikrosystem Technik soll ein CVD-Gesamtprozess zur Abscheidung groüfläChiger，均质者Silberschichten auf Silicium subsium entwickelt。他说：“我不知道该怎么做，但我不能这么做。在经济和社会发展的基础上，经济和社会的发展也是如此，这也是经济发展的基础。在这两种情况下，我们的经济和社会结构将会发生变化，这是一种新的经济和社会现象。

Für Anwendungen in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik soll ein CVD-Gesamtprozess zur Abscheidung großflächiger, homogener Silberschichten auf Siliciumsubstraten entwickelt werden. Hierzu sollen neue, potentiell geeignete Precursoren synthetisiert und im Abscheidungsprozess getestet werden. Untersuchungen zum Wachstumsmechanismus sollen Hinweise bezüglich der Konzeption und Optimierung des Prozesses liefern, die sowohl in die Synthese geeigneter Vorläuferverbindungen als auch in die Gestaltung des Depositionsprozesses einfließen. Der Schichtabscheideprozeß wird für aussichtsreiche Precursorsysteme entwickelt, und die erzeugten Schichten werden hinsichtlich ihrer chemischen Zusammensetzung und Homogenität analysiert sowie bezüglich ihrer Mikrostruktur, ihrer mechanischen und elektrischen Eigenschaften untersucht.