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Toward room temperature operation of Si single-dopant devices by P and B codoping techniques

Toward room temperature operation of Si single-dopant devices by P and B codoping techniques
通过 P 和 B 共掺杂技术实现 Si 单掺杂器件的室温运行
批准号：
22656082
负责人：
TABE Michiharu
金额：
$2.34万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656082/
关键词：
電子デバイス・機器スピンデバイスドーパント複合体

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在这项工作中，获得了以下结果：当硅通道尺寸在纳米数量级时，P给体的电离能大于其在硅体中的电离能。结果表明，适当的B原子和P原子构型可以进一步加深电子量子阱的能量深度。
英文摘要
In this work, the following results have been obtained. When the size of Si channel is within the order of nanometers, P donor has larger ionization energy than its value in Si bulk. Then, it is shown that the energy depth of quantum well for electrons can be further deepened, as a result of appropriate configuration of B and P atoms.
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会议论文
Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures.
基于硅纳米结构中的单个掺杂剂的原子设备。
DOI： 10.1186/1556-276x-6-479
发表时间： 2011-07-29
期刊： Nanoscale research letters
影响因子： --
作者： [Moraru D, Udhiarto A, Anwar M, Nowak R, Jablonski R, Hamid E, Tarido JC, Mizuno T, Tabe M]
通讯作者： Tabe M
Single-electron charging in phosphorous donors in silicon observed by low-temperature Kelvin probe force microscope
低温开尔文探针力显微镜观察硅中磷供体的单电子充电
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： Si-based single-dopant atom devices
影响因子： --
作者： [M. Anwar, Y. Kawai, D. Moraru, R. Nowak, R. Jablonski, T. Mizuno, and M. Tabe]
通讯作者： and M. Tabe
Si-based single-dopant atom devices, Advanced Materials Research
硅基单掺杂原子器件，先进材料研究
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： Si-based single-dopant atom devices
影响因子： --
作者： [M. Tabe, D. Moraru, A. Udhiarto, S. Miki, M. Anwar, Y. Kawai and T. Mizuno]
通讯作者： Y. Kawai and T. Mizuno
Electronic potential of lateral nanoscale Si pn junctions observed by KFM technique
KFM技术观察横向纳米级Si pn结的电子势
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [湯川博喜, 廣瀬浩次, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, R. Nowak]
通讯作者： R. Nowak
共 81 条
    Dopant-atom-controlled tunnel diodes using Si nano-pn junctions
    • 批准号：
      25630144
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      TABE Michiharu
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    Si single-electron transfer devices using potential fluctuation by a few dopants
    • 批准号：
      20246060
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.87万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      TABE Michiharu
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    Nanoscale-multiple-junctions : Transport control and development of new functions
    • 批准号：
      18063010
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $30.46万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      TABE Michiharu
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    Silicon single-electron devices : Time-space control of transport and development of new functions
    • 批准号：
      16106006
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $61.82万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      TABE Michiharu
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    海外基金