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High-density TSV for 3D integration

High-density TSV for 3D integration
用于 3D 集成的高密度 TSV
批准号:
451188-2013
负责人:
Charlebois, Serge
金额:
$4.66万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Collaborative Research and Development Grants
财政年份:
2013
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-01-01 至 2014-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
微电子行业使用3D集成策略-多个集成电路(IC)在其他集成电路上的组装-来保持尺寸缩小,同时提高性能和功能。在这种组装中,IC之间的电连接是通过横穿硅衬底的通孔实现的,称为直通硅通孔(TSV)。虽然Teledyne-DALSA半导体公司(Bromont)已经确定了第一代TSV的技术,但很明显,TSV的密度在未来几年将需要大幅提高,以满足成像器(TDS瞄准的市场)上不断增加的像素数量的需求。
英文摘要
The microelectronics industry uses 3D integration strategies - the assembly of multiple integrated circuits (IC) on over the others - to maintain the size reduction while increasing the performances and functionalities. In such assembly, the electrical connection between ICs is enabled by vias traversing the silicon substrate and dubbed through-silicon-vias (TSV). While Teledyne-DALSA Semiconductor (Bromont) has identified the technology for the 1st generation of TSV, it is already clear that the density of TSV will need to be greatly increased in the coming years to soothed the needs for the ever increasing pixel counts on imagers (market targeted by TDS).
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会议论文
The nEXO Search for Neutrinoless Double Beta Decay
  • 批准号:
    SAPPJ-2022-00021-2
  • 项目类别:
    Subatomic Physics Envelope - Project
  • 资助金额:
    $13.4万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    Charlebois, Serge
  • 依托单位:
Sensitvity leap for far ultraviolet single photon avalanche diodes
  • 批准号:
    RGPIN-2017-06409
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.75万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    Charlebois, Serge
  • 依托单位:
Sensitvity leap for far ultraviolet single photon avalanche diodes
  • 批准号:
    RGPIN-2017-06409
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.75万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    Charlebois, Serge
  • 依托单位:
The nEXO Search for Neutrino-less Double Beta Decay
  • 批准号:
    SAPPJ-2020-00023-3
  • 项目类别:
    Subatomic Physics Envelope - Project
  • 资助金额:
    $14.72万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    Charlebois, Serge
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
高性能薄膜铌酸锂光子芯片及其TSV集成与异构封装技术研究
应用于AI芯片的先进封装TSV关键技术研发
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
  • 依托单位:
2.5D/3D先进封装技术中高密度TSV-Cu关键微结构演化及其机理研究
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2024
  • 负责人:
  • 依托单位:
曲折型硅通孔(TSV)阵列轨迹可控的快速刻蚀加工方法研究
  • 批准号:
    52305456
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    30万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    龙杰才
  • 依托单位: