Development of a super-resolution stochastical optical reconstruction raman microscope for online nanoscale electronic and photonics devices quality control.

该项目旨在开发新的光学技术，以适应高价值的电子和光电子复合材料的制造。L'intégration d'éléments de taille toujours plus réduites induit de nombreux artefacts whi réduisent le taux de succès de fabrication de ces microprocesseurs or whi induisent des performance moindres.相应地，所有方法都渗透了结构缺陷或连接缺陷的快速识别，并在先进的过程中使用了一种集成通信的空间解决方案。在此基础上，拉曼显微镜结合随机重构方法（STORM）提供了一种20 nm的空间分辨率，这对于分析集成电路核心的纳米结构材料是理想的。特别是，拉曼-STORM显微镜适用于硅基、锗基或材料的研究，以及碳纳米管、碳纳米管或分子核的研究，以获得2D电子电路的印象。在电子电路中集成这些先进材料对于未来电子发展和在众多领域中的应用是一个重要的挑战。

Ce projet de recherche vise à développer de nouvelles techniques optiques afin de suivre la fabrication en ligne de composants électroniques et optoélectroniques à haute valeur ajoutée. L'intégration d'éléments de taille toujours plus réduites induit de nombreux artefacts qui réduisent le taux de succès de fabrication de ces microprocesseurs ou qui induisent des performances moindres. Par conséquent, toute méthode permettant d'identifier rapidement des défauts de structure ou de connexion avec une résolution spatiale proche des tailles d'intégration couramment utilisées dans les processeurs les plus avancés. Dans ce cadre, la microscopie Raman alliant les méthodes de reconstruction stochastiques (STORM) offre une résolution spatiale proche de 20 nm ce qui est idéale pour l'analyse des matériaux nanostructurés formant le coeur des circuits intégrés. En particulier, la microscopie Raman-STORM est bien adaptée à l'étude de matériaux à base de silicium, germanium ou de matériaux plus avancés tels que graphène, nanotubes de carbone ou encore des encres moleculaires pour l impression 2D de circuits electroniques. L integration de ces materiaux avancés dans des circuits electroniques est un challenge important pour le développement de électronique du futur et de ses applications dans de nombreux domaines.