高性能二核ロジウム(II)錯体の創製を基盤とする実践的不斉合成プロセスの開発

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N-フタロイルアミノ酸を架橋配位子として組み込んだロジウム(II)カルボキシラート錯体およびその誘導体を用いた不斉触媒反応を検討し、以下の成果を得た。(1)Rh_2(S-PTTL)_4の四つの架橋配位子のうち一つのリガンドのフタルイミド基に末端スチリル基を持つリンカーを組み込んだ二核ロジウム錯体スチレンおよび架橋剤1,3-ビス(4-ビニルベンジルオキシ)プロパンとの共重合反応により得られる固相担持型不斉触媒が、α-ジアゾエステルの分子内C-H挿入反応において不溶性高分子担持型不斉触媒としては異例の-78℃という低温下においても母型錯体Rh_2(S-PTTL)_4と同程度の触媒活性、完璧なシス選択性、ほぼ同等の化学選択性および不斉収率を示すとともに、文献上知られる最高の20回までの再利用が可能であることを見出した。(2)(2-ニトロフェニルスルホニルイミノ)フェニルヨーディナンをナイトレン前駆体とするシリルエノールエーテルの不斉アミノ化反応において、Rh_2(S-TFPTTL)_4を触媒に用いると最高95%の不斉収率でα-アミノケトン誘導体が得られることを見出した。また、シリルケテンアセタールの不斉アミノ化反応においては、Rh_2(S-TCPTTL)_4を触媒に用いると最高98%の不斉収率でα-フェニルグリシン誘導体が得られることを見出した。さらに、Rh_2(S-TCPTTL)_4存在下、2,2-ジメチルクロメンに対し(4-ニトロフェニルスルホニルイミノ)フェニルヨーディナンを用い不斉アジリジン化反応を行うと94%の不斉収率が得られることが分かった。