プロセス用プラズマのシース
过程等离子体鞘层
基本信息
- 批准号:03302025
- 负责人:
- 金额:$ 10.11万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
- 财政年份:1991
- 资助国家:日本
- 起止时间:1991 至 1993
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究課題は半導体プロセスに不可欠の技術であるプラズマプロセシングに関して最も重要な働きをしているプラズマのシース,すなわち,プラズマと固体表面との間に存在するインターフェースについて組織的な研究を開始したものである。本年度は3か年計画の最終年度であり,2回の研究会を開き,研究成果のまとめを行った。本研究における成果の主なものは次の通りである。1.シースの構造について条件の異なるプラズマすなわち、RFプラズマ,電子ビームプラズマ,マグネトロンプラズマ,微粒子プラズマ、ならびに特性の異なる固体壁すなわち電子放出電極,導体壁、および絶縁体壁前面におけるシースやプリシースの構造,特性について知見を得た。2.シースのモデリングについて固体表面に構造を持つ場合を含むシースについての各種シミュレーション技法が開発され,その結果として,RFプラズマの場合にボーム条件が従来のものと異なること,微粒子を含む場合にはシースの構造が2段になること,壁が絶縁物の場合には,壁への熱流束はイオンによるものよりも電子によるものの方が遥かに大きくなること等が明らかになった。3.ラジカル、微粒子の生成と流束プラズマ中の各種ラジカルの振舞いに関する計測が進み、各種ラジカル,特にCH系ならびにCF系の電子衝突生成断面積、密度分布,シースを横切るラジカル束,固体表面に入射するイオンによるラジカル生成等が定量的に明らかにされた。シランプラズマ内の微粒子発生の時間的,空間的振舞が明らかになった。プラズマに関するパラメタ制御によるエッチング特性やCVDの膜特性の改善が得られ、プロセス用プラズマ改良の有効性が示された。
The purpose of this study is to ensure that the most important part of this study is that the most important part of the study is that there is a significant increase in the number of solid surfaces. The annual meeting of the three-year plan will be held this year, the 2-round seminar will be held, and the research results will be reviewed. The results of this study are mainly related to the results of this study. 1. The equipment is fabricated in terms of the temperature, the temperature, two。 The mechanical properties of the solid surface are analyzed by using the method of testing all kinds of mechanical properties of the solid surface. The results of the experiments show that the conditions of the RF are different, the particles contain the composite materials, the 2 segments of the composites are fabricated, and the wall layers of the materials are combined. In the wall, the current beam is used to make sure that the electricity is in the right place. 3. In the current beam, the microparticles are generated. In the current beam, all kinds of vibration and dance instruments are in progress, and the CF computers in the Ch system are used to generate cross-section, density distribution, cross-section and cross-section of the electron beam, the incident temperature on the solid surface is measured and so on. When the particles are born in time, the dance in the space is very clear. In order to improve the properties of the CVD membrane, it is necessary to improve the properties of the film.
项目成果
期刊论文数量(53)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
F.Tochikubo T.Makabe: "Absolute measurement of the excitation rate and density of the excited species in an RF discharge from the optical emission spectroscopy" Measurement Sci & Technol.2. 1133-1137 (1991)
F.Tochikubo T.Makabe:“通过光学发射光谱对 RF 放电中激发物种的激发速率和密度进行绝对测量”Measurement Sci
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
N.Shimura T.Makabe: "Electron velocity distribution function in a gas in ExB fields." Appl.Phys.Lett.62(7). 678-680 (1993)
N.Shimura T.Makabe:“ExB 场中气体中的电子速度分布函数。”
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
A.Suzuki Y.Toyoshima P.J.McElheny A.Matsuda: "In-situ ultravioletlaser treatment during plasma deposition for the improvement of film qualities in hydrogenated amorphous silicon" Jpn.J.Appl.Phys. 30. L790-L792 (1991)
A.Suzuki Y.Toyoshima P.J.McElheny A.Matsuda:“等离子体沉积过程中的原位紫外激光处理可提高氢化非晶硅的薄膜质量” Jpn.J.Appl.Phys。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
J.Dutta K.Hasezaki S.Msashima P.J.McElheny A.Suzuki G.Ganguly A.Matsuda: "Effect of ion bombardment on the properities of hydrogenated amorphous silicon prepared from undiluted and xenon-diluted silane" Jpn.J.Appl.Phys. 31. L299-L302 (1992)
J.Dutta K.Hasezaki S.Msashima P.J.McElheny A.Suzuki G.Ganguly A.Matsuda:“离子轰击对未稀释和氙稀释硅烷制备的氢化非晶硅性能的影响”Jpn.J.Appl.Phys。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Ushigusa: "Large Diameter BOR Plasma Produced by using Multi-Annular Antenna" Proc.2nd Int'l Conf on Reactive Plasmas. 537- (1994)
Y.Ushigusa:“使用多环天线产生的大直径 BOR 等离子体”Proc.2nd Intl Conf on Reactive Plasmas。
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- 作者:
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