课题基金 / 基金详情

プロセス用プラズマのシース

プロセス用プラズマのシース
过程等离子体鞘层
批准号：
03302025
负责人：
板谷 良平
金额：
$10.11万
依托单位：
Niihama National College of Technology (1993)Kyoto University (1991-1992)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 1993
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03302025/
关键词：
反応性プラズマシースプラズマ・固体相互作用プラズマ・表面相互作用シ-スプラズマ、固体相互作用プラズマ、表面相互作用

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项目成果

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本研究課題は半導体プロセスに不可欠の技術であるプラズマプロセシングに関して最も重要な働きをしているプラズマのシース,すなわち,プラズマと固体表面との間に存在するインターフェースについて組織的な研究を開始したものである。本年度は3か年計画の最終年度であり,2回の研究会を開き,研究成果のまとめを行った。本研究における成果の主なものは次の通りである。1.シースの構造について条件の異なるプラズマすなわち、RFプラズマ,電子ビームプラズマ,マグネトロンプラズマ,微粒子プラズマ、ならびに特性の異なる固体壁すなわち電子放出電極,導体壁、および絶縁体壁前面におけるシースやプリシースの構造,特性について知見を得た。2.シースのモデリングについて固体表面に構造を持つ場合を含むシースについての各種シミュレーション技法が開発され,その結果として,RFプラズマの場合にボーム条件が従来のものと異なること,微粒子を含む場合にはシースの構造が2段になること,壁が絶縁物の場合には,壁への熱流束はイオンによるものよりも電子によるものの方が遥かに大きくなること等が明らかになった。3.ラジカル、微粒子の生成と流束プラズマ中の各種ラジカルの振舞いに関する計測が進み、各種ラジカル,特にCH系ならびにCF系の電子衝突生成断面積、密度分布,シースを横切るラジカル束,固体表面に入射するイオンによるラジカル生成等が定量的に明らかにされた。シランプラズマ内の微粒子発生の時間的,空間的振舞が明らかになった。プラズマに関するパラメタ制御によるエッチング特性やCVDの膜特性の改善が得られ、プロセス用プラズマ改良の有効性が示された。
期刊论文(53)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
F.Tochikubo T.Makabe: "Absolute measurement of the excitation rate and density of the excited species in an RF discharge from the optical emission spectroscopy" Measurement Sci & Technol.2. 1133-1137 (1991)
F.Tochikubo T.Makabe：“通过光学发射光谱对 RF 放电中激发物种的激发速率和密度进行绝对测量”Measurement Sci
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
N.Shimura T.Makabe: "Electron velocity distribution function in a gas in ExB fields." Appl.Phys.Lett.62(7). 678-680 (1993)
N.Shimura T.Makabe：“ExB 场中气体中的电子速度分布函数。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
A.Suzuki Y.Toyoshima P.J.McElheny A.Matsuda: "In-situ ultravioletlaser treatment during plasma deposition for the improvement of film qualities in hydrogenated amorphous silicon" Jpn.J.Appl.Phys. 30. L790-L792 (1991)
A.Suzuki Y.Toyoshima P.J.McElheny A.Matsuda：“等离子体沉积过程中的原位紫外激光处理可提高氢化非晶硅的薄膜质量” Jpn.J.Appl.Phys。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
J.Dutta K.Hasezaki S.Msashima P.J.McElheny A.Suzuki G.Ganguly A.Matsuda: "Effect of ion bombardment on the properities of hydrogenated amorphous silicon prepared from undiluted and xenon-diluted silane" Jpn.J.Appl.Phys. 31. L299-L302 (1992)
J.Dutta K.Hasezaki S.Msashima P.J.McElheny A.Suzuki G.Ganguly A.Matsuda：“离子轰击对未稀释和氙稀释硅烷制备的氢化非晶硅性能的影响”Jpn.J.Appl.Phys。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 51 条
    反応性プラズマの制御(とりまとめ)
    • 批准号：
      03299112
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $1.86万
    • 财政年份：
      1991
    • 负责人：
      板谷 良平
    • 依托单位：
      Kyoto University
    複合プラズマの生成と反応の制御
    • 批准号：
      02214107
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $18.3万
    • 财政年份：
      1990
    • 负责人：
      板谷 良平
    • 依托单位：
      Kyoto University
    反応性プラズマの制御
    • 批准号：
      02214106
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $7.04万
    • 财政年份：
      1990
    • 负责人：
      板谷 良平
    • 依托单位：
      Kyoto University
    反応性プラズマの制御
    • 批准号：
      01632008
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $3.2万
    • 财政年份：
      1989
    • 负责人：
      板谷 良平
    • 依托单位：
      Kyoto University
    海外基金