原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
批准号:
04240222
负责人:
小田 俊理
金额:
$1.92万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 --
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本研究の目的は、化学気相成長(CVD)法の(1)原料多様性、(2)原子層吸着特性、(3)基板選択性などの特色を駆使して酸化物高温超伝導体をベースとする多層ヘテロエピタキャル構造を形成し、トンネル接合特性、近接効果特性の評価により、高温超伝導の機構の解明と共に新しい電子機能の発現を探ることである。CVD法により結晶性、超伝導特性とも他の方法と遜色のない薄膜を得ることが出来るが、CVD法の短所として、原料(特にBa)が不安定なため再現性が悪いこと、分子線エピタキシー(MBE)法の様に反射電子線回折(RHEED)を用いた結晶成長表面のその場観察法を持たないことなどが指摘されてきた。本年度はこれらの問題点の解決をはかった。前者に対しては、Ba(DPM)_2(phen)にようにアダクツを形成することにより原料を安定して供給できるようにした。従来の原料では30時間程度で堆積が困難になっていたが新原料により150時間以上経過しても再現性良く結晶成長が可能であった。後者に対しては、MgO基板上のYBCOのレイヤー・バイ・レイヤーCVD成長において成長表面の光学反射率のその場観察を行い、ユニットセル毎の成長に応じて階段状に反射率が変化する事を見出し、原子層オーダーの結晶成長モニターとして利用できることを示した。成長表面での原子の挙動をその場で観察する手段を得たことはCVD成長技術を格段に進展させるきっかけになると考えられる。さらに光学反射測定法はCVD法に限らずスパッタ法やレーザーアブレーション法など成長雰囲気が高真空でなくRHEED法の利用が困難な場合の結晶成長その場観察法として有効であろう。
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S.Oda: "In-Situ Optical Monitoring of Crystal Growth in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3Ox" Proceedings of Sixth Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism,. 277-282 (1992)
S.Oda:“YBa_2Cu_3Ox 层层化学气相沉积中晶体生长的原位光学监测”第六届晶体生长机制专题会议论文集。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Zama,: "In-Situ Monitoring of Optical Reflectance Oscillation in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of Oxide Superconductor Films," Jpn.J.Appl.Phys.31. L1243-L1245 (1992)
H.Zama,:“氧化物超导薄膜逐层化学气相沉积中光学反射振荡的原位监测”,Jpn.J.Appl.Phys.31。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Zama,: "Perparation and Characterization of YBaCuO Films by Photo-Assisted Chemical Vapor Deposition," Proceedings of 6th International Conference on Ferrites,Tokyo,September 29-October 2,1992.(1992)
H.Zama,:“光辅助化学气相沉积 YBaCuO 薄膜的制备和表征”,第六届国际铁氧体会议记录,东京,1992 年 9 月 29 日至 10 月 2 日。(1992 年)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Zama: "Advances in Superconductivity V Ed.by Y.Bando" Springer-Verlag, (1993)
H.Zama:“Advances in Superconductivity V Ed.by Y.Bando”Springer-Verlag,(1993)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Fujii: "Preparation of YBa_2Cu_3Ox Thin Films by Layer-by-Layer Metalorganic Chemical Vapor Deposition." Jpn.J.Appl.Phys.31. L787-L789. (1992)
K.Fujii:“通过逐层金属有机化学气相沉积制备 YBa_2Cu_3Ox 薄膜”。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 11 条
高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
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批准号:14F04797
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2014
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
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批准号:10F00779
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.9万
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财政年份:2010
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
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批准号:07F07107
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2007
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
ネオシリコン量子情報デバイス
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批准号:04F04348
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
機能性酸化物高度プロセス研究
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批准号:10142103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$74.24万
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财政年份:2000
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
単一電子トランジスタ素子による、シリコン/酸化物界面の研究
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批准号:97F00286
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1998
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層MOCVDによる超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
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批准号:09224207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1997
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
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批准号:08238206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
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批准号:07248205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1995
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
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批准号:06216224
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1994
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシー成長表面の光学的観察と成長機構の解明
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批准号:05211210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1993
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
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批准号:05224222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1993
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシー成長表面の光学的観察と成長機構の解明
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批准号:04227214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1992
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシ-成長表面の光学的観察と成長機構の解明
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批准号:03243214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1991
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
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批准号:03210213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1991
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
VHF帯プラズマの発生と制御
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批准号:02214209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1990
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
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批准号:02226211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1990
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
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批准号:01644511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1989
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
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批准号:01632509
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1989
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
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批准号:63632511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1988
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负责人:小田 俊理
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依托单位:
海外基金