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酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用

酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
超薄氧化物高温超导薄膜的外延多层生长及其在三端器件中的应用
批准号：
02226211
负责人：
小田 俊理
金额：
$2.24万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1990 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02226211/
关键词：
高温超伝導エピタキシャル成長原子層エピタキシ-超伝導トランジスタYBaCuOMOCVD

项目摘要

项目成果

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CVDモ-ド原子層エピタキシ-法によるY系超伝導膜の低温成長およびデバイスプロセスの基礎に関する研究を行ない以下の成果を得た。1.CVD原料を同時に供給する方法において、酸化剤にN_2Oを用い、基板温度T_S=525℃でペロブスカイト構造を実現し、T_S=610℃でT_C=15K、T_S=650℃でT_C=83Kの超伝導膜を得た。2.CVD原料を交互供給するlayerーbyーlayer成長において、酸化モ-ドを各原子層ごとに行なう場合と、サブユニットごとに行なう場合を比較した。また、基板に接する第1層目の金属をCuとBaの比較を行なった。この結果、T_S=550℃の時、第1層目をBaとして1原子層ごとに酸化した場合に結晶性の良好な3層ペロブスカイト構造を得た。3.原子層エピタキシ-における表面分子の吸着脱離特性を質量分析法およびX線光電子分光法によりしらべ、Cu(DPM)_2を原料としてセルフリミティング機構を実現できることを初めて示した。4.T_S<500℃の低温化を目指して紫外光アシストCVD法によりCuーβジケトン原料を分解して、低温で成膜速度が増加すること、Cu膜の結晶性が向上して電気抵抗が1.7x10^<ー6>Ωcmというバルク並みの薄膜を得た。5.電子ビ-ム露光技術により幅100nmの微細超伝導パタ-ンを形成し電流電圧特性を測定した。
期刊论文(8)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
S.Oda: "Atomic Layer Epitaxy of YBa_2Cu_3O_X Films," Jpn.J.Appl.Phys.
S.Oda：“YBa_2Cu_3O_X 薄膜的原子层外延”，Jpn.J.Appl.Phys。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Watanabe: "Molecular Beam Epitaxy Study of Bi2Sr2CuOx Using NO2 as an Oxidizing Agent" Jpn.J.Appl.Phys.29. L1111-L1113 (1990)
S.Watanabe：“使用 NO2 作为氧化剂的 Bi2Sr2CuOx 分子束外延研究”Jpn.J.Appl.Phys.29。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Zama: "Properties of Metalorganic Precursors for Chemical Vapor Deposition of Oxide Superconductors" Jpn.J.Appl.Phys.29. L1072-L1074 (1990)
H.Zama：“氧化物超导体化学气相沉积的金属有机前体的特性”Jpn.J.Appl.Phys.29。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Zama: "PhotoーAssisted CVD of βーdiketon Compounds for Superconducting Films" Jpn.J.Appl.Phys.
H.Zama：“用于超导薄膜的 β-二酮化合物的光辅助 CVD”Jpn.J.Appl.Phys。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 6 条
    高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
    • 批准号：
      14F04797
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
    • 批准号：
      10F00779
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $0.9万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
    • 批准号：
      07F07107
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    ネオシリコン量子情報デバイス
    • 批准号：
      04F04348
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金