VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
批准号:
63632511
负责人:
小田 俊理
金额:
$1.41万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1988
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1988 至 --
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
VHF帯のプラズマを世界で初めて発生させ、発光スペクトルの観測により、ラジガルの発生過程を調べ、磁界によりVHFプラズマがどのように制御できるかを明らかにした。1.VHFプラズマの発生プラズマの発生にはRFとマイクロ波のほぼ中間の周波数である144MHzを使用した。平行平板ダイオード型の電極(直径8cm、間隔3cm)に10〜150WのVHF電力を投入してプラズマ放電を実現させた。RF電力を投入した場合と比較しながら実験を進めた。2.反応性ガスの検討水素およびシランガスの放電を実験した。3.プラズマ内部パラメーターの観察プラズマ発光スペクトルを観測して内部パラメーター(生成される化学種)と外部制御パラメーター(ガス圧力、ガス流量、VHF電力など)との相関を調べた。シランガスの放電の場合、H、Si、SiHの各発光線強度が外部パラメーターに大きく依存すること、および、堆積される薄膜との特性と相関のあることが明らかにされた。また、VHFプラズマは、RFと比較してラジカル発生効率が高いことが明らかにされた。4.VHFプラズマの制御磁界を印加してECR(電子サイクロトロン共鳴)条件を満足させると、さらに効率的にプラズマを発生させることができた。この結果、低電力、低圧力でプラズマを維持することができるようになった。5.今後の研究計画反応性プラズマにおける周波数の効果をさらに明確にするため、プラズマ発光の空間分布を詳細に調べるとともに、プローブ測定により電子エネルギー分布特性を明らかにする。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
-
批准号:14F04797
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:2014
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
-
批准号:10F00779
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$0.9万
-
财政年份:2010
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
-
批准号:07F07107
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:2007
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
ネオシリコン量子情報デバイス
-
批准号:04F04348
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.54万
-
财政年份:2004
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
機能性酸化物高度プロセス研究
-
批准号:10142103
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
-
资助金额:$74.24万
-
财政年份:2000
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
単一電子トランジスタ素子による、シリコン/酸化物界面の研究
-
批准号:97F00286
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.73万
-
财政年份:1998
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
原子層MOCVDによる超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
-
批准号:09224207
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.54万
-
财政年份:1997
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
-
批准号:08238206
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1996
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
原子層MOCVD法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製
-
批准号:07248205
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.6万
-
财政年份:1995
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
-
批准号:06216224
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.92万
-
财政年份:1994
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシー成長表面の光学的観察と成長機構の解明
-
批准号:05211210
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.6万
-
财政年份:1993
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
-
批准号:05224222
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.92万
-
财政年份:1993
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
原子層CVD法による高温超伝導選択エピタキシャル多層ヘテロ接合の作製と特性評価
-
批准号:04240222
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.92万
-
财政年份:1992
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシー成長表面の光学的観察と成長機構の解明
-
批准号:04227214
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.41万
-
财政年份:1992
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
-
批准号:03210213
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.92万
-
财政年份:1991
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシ-成長表面の光学的観察と成長機構の解明
-
批准号:03243214
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$2.05万
-
财政年份:1991
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
VHF帯プラズマの発生と制御
-
批准号:02214209
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1990
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
-
批准号:02226211
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$2.24万
-
财政年份:1990
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
-
批准号:01644511
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$2.24万
-
财政年份:1989
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御
-
批准号:01632509
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$2.24万
-
财政年份:1989
-
负责人:小田 俊理
-
依托单位:
海外基金