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酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシー成長表面の光学的観察と成長機構の解明

酸化物高温超伝導体の原子層エピタキシー成長表面の光学的観察と成長機構の解明
高温氧化物超导体原子层外延生长表面的光学观察及生长机制的阐明
批准号：
04227214
负责人：
小田 俊理
金额：
$1.41万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04227214/
关键词：
酸化物高温超伝導体原子層エピタキシーMOCVD光学反射測定表面吸着その場観察2次元結晶成長

项目摘要

项目成果

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YBa_2Cu_3Ox用CVD成長装置に波長670nmの半導体レーザーとシリコン光検出器を組込み、基板に対して約60度の角度で入射した光の反射光強度をモニターできるようにした。CVD原料のβジゲトン金属錯体(Y,Ba,Cu)はコンピュータ制御によりパルス供給を行なった。酸化剤にはN_2Oを用いた。半導体レーザーを変調してロックイン増幅を行うことによる基板温度を650℃まで加えて、超伝導膜成長条件で評価を行えるようにした。(100)MgO基板上に原料を交互供給してYBa_2Cu_3Oxの成長を行ないながら成長表面の光学反射率の経時変化を測定したところ、階段状の構造を有して増加することを見出した。反射率の増加は、Mgo基板上のYBa_2Cu_3Ox膜の吸収による理論と一致した。階段状構造が現れるの結晶性が良好な条件のみで、最適条件から外れると階段構造はぼやけることが分った。さらに、30サイクルほどの経過すると階段構造は消失することが分った。これらの実験事実から、階段構造が2次元的結晶成長によるものであると考えられる。3次元的結晶成長の場合には連続的にYBa_2Cu_3Ox膜の生成が起こるので階段構造は現れない。光学反射測定はCVDにおける成長その場モニター法として有力であることが分った。表面の原子配列状態の監視だけでなく、結晶成長機構の解明にも新しい情報を提供することになろう。
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H.Zama.: "Prepartion and Characterization of YBaCuo Films by Photo-Assisted Chemical Vapor Deposition." Proceedings of 6th International Conference on Ferrites,Tokyo,September 29-October 2,1992.(1992)
H.Zama.：“通过光辅助化学气相沉积制备 YBaCuo 薄膜并对其进行表征。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Oda: "In-Situ Optical Monitoring of Crystal Growth in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3Ox" Proceedings of Sixth Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism,. 277-282 (1992)
S.Oda：“YBa_2Cu_3Ox 层层化学气相沉积中晶体生长的原位光学监测”第六届晶体生长机制专题会议论文集。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Zama: "In-Situ Optical Monitoring of Oxide Superconductor Growth for Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition." Extended Abstracts of 1992 International Conference on Solid State Devices and Materials Conference.Tsukuba,August 26-28. 460-462 (1992)
H.Zama：“逐层化学气相沉积氧化物超导体生长的原位光学监测”。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Zama: "Advances in Superconductivity V Ed.by Y.Bando" Springer-Verlag, (1993)
H.Zama：“Advances in Superconductivity V Ed.by Y.Bando”Springer-Verlag，（1993）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 10 条
    高速通信用包囲ゲート型シリコンナノロッドトランジスタの研究
    • 批准号：
      14F04797
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    大容量通信用シリコンナノロッドゲート包囲型トランジスタ
    • 批准号：
      10F00779
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $0.9万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
    • 批准号：
      07F07107
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.47万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    ネオシリコン量子情報デバイス
    • 批准号：
      04F04348
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      小田 俊理
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金