课题基金 / 基金详情

Kombinierte integriert-Fourier-optische Transversalmodenselektion und Pulsformung an gepulsten Breitstreifen-Laserdioden

Kombinierte integriert-Fourier-optische Transversalmodenselektion und Pulsformung an gepulsten Breitstreifen-Laserdioden
脉冲宽带激光二极管上的集成傅里叶光学横向模式选择和脉冲整形相结合
批准号:
5354606
负责人:
Professor Dr. Henning Fouckhardt
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2002
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2001-12-31 至 2004-12-31

项目摘要

项目成果

Professor Dr. Henning Fouckhardt的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
横向模态选择,横向模态选择,横向模态选择,横向模态选择,横向模态选择,横向模态选择,横向模态选择。Die zeitlichen Formung von kurzen Pulsen and ingesetzt, um den zeitlichen pulverlauf optimal der Anwendung and zupassen;z.B. werden <s:1>激光脉冲光的夜间光学实验。Sowohl f_r die横向现代选择(transversalmodseldenseltion)也包括f_r die脉冲成形(pulformung), die Gruppe des Antragstellers bereits傅立叶光学(Fourier-optische Konzepte)以及einem外部谐振器实现中的f_r die选择性<s:1> ckkopplung。[3][3][1][3][1][4][1][3][1][3][1][4][1][4][1][4][1][4]。横向现代选择与脉冲成形太阳能系统研究[j]。[3][1][1][1][1][2]。
英文摘要
Eine Transversalmodenselektion bei Breitstreifenlasern dient meistens dazu, den Laser zu zwingen, einen Großteil seiner Ausgangsleistung in der transversalen Grundmode zu emittieren. Die zeitliche Formung von kurzen Pulsen wird eingesetzt, um den zeitlichen Pulsverlauf optimal der Anwendung anzupassen; z.B. werden für nichtlinear-optische Experimente oft rechteckige Pulse gewünscht. Sowohl für die Transversalmodenselektion als auch für die Pulsformung hat die Gruppe des Antragstellers bereits Fourier-optische Konzepte mit einer selektiven Rückkopplung in einem externen Resonator realisiert. In diesem Vorhaben sollen Transversalmodenselektion und Pulsformung in einem miniaturisierten Aufbau auf Basis einer integriert-optischen Filmwellenleiterstruktur kombiniert werden. Die Randbedingungen und Möglichkeiten zur gleichzeitigen Transversalmodenselektion und Pulsformung sollen systematisch untersucht werden. Zur Pulserzeugung bei den Breitstreifenlasern soll eine aktive Modenkopplung vorgenommen werden.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Optoelectrowetting for actuation of nanoliter droplets, revisited
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) for III/V semiconductor crystal dry-etching (RIE) for in-situ identification of self-organized roughness (roughness-RIE-RAS)
In-situ etch depth control with precision around 1 nm via reflectance anisotropy spectroscopy during reactive ion etching of monocrystalline III/V semiconductors
Breitstreifenlaser mit monolithisch integriertem Transversalmodenselektor in geradem Resonator
海外基金