Novel InSb/InAsSb Quantum Dot Nanostructures for Mid-infrared Laser Applications
Novel InSb/InAsSb Quantum Dot Nanostructures for Mid-infrared Laser Applications
批准号:
EP/E028209/1
负责人:
Anthony Krier
金额:
$10.14万
依托单位:
依托单位国家:
英国
项目类别:
Research Grant
财政年份:
2007
资助国家:
英国
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 --
中文摘要
我们正试图使半导体激光器的中红外(2-5微米)光谱范围的各种实际应用,包括:化学过程控制,环境监测大气污染和自由空间光通信。目前,由于器件的有源区内的低内部效率,不可能在室温下获得激光发射。最大限度地减少与光产生竞争的不必要过程的一种方法是将其安排在称为量子点的非常小体积的材料内进行。最近在兰开斯特,我们已经成功地制造出了一些发光的量子点结构,但是为了有效地用于激光器,我们需要制造包含大量小量子点的薄片。拟议的研究金旨在巩固我们最近的成功成果,并获得俄罗斯Ioffe研究所的Solov'ev博士的专家援助,他是该领域的世界领先权威。Solov'ev博士的研究小组使用一种特殊的技术生产了自组装InSb量子点的密集阵列,其平均直径约为2.5 nm,片密度约为10^12 cm-2,以生产亚单层厚度范围内的InSb量子点纳米结构。Solov'ev博士通过展示他的InSb量子点纳米结构的室温光发射而建立了强大的国际领先地位,并热衷于与我们合作开发在有源区包含这些量子点的室温中红外激光器。
英文摘要
We are trying to make semiconductor lasers for the mid-infrared (2-5 um) spectral range for a variety of practical applications including; chemical process control, environmental monitoring of atmospheric pollution and free space optical communications. At present it is impossible to obtain laser emission at room temperature due to low internal efficiency within the active region of the device. One way of minimising the unwanted processes that compete with the light generation is to arrange for this to take place inside a very small volume of material which is called a quantum dot . Recently at Lancaster we have successfully produced some quantum dot structures which emit light, but to be effective for use in a laser we need to make a sheet containing a large number of small quantum dots. The proposed fellowship seeks to build on our recent successful results and to obtain expert assistance from Dr. Solov'ev from the Ioffe Institute in Russia who is a world-leading authority in this area. Dr. Solov'ev's group has produced a dense array of self-assembled InSb quantum dots having a mean diameter of ~ 2.5 nm and a sheet density of ~ 10^12 cm-2 using a special technique to produce the InSb quantum dot nanostructures in the sub-monolayer thickness range. Dr. Solov'ev has developed a strong international lead by demonstrating room temperature light emission from his InSb quantum dot nanostructures and is enthusiastic to collaborate with us to develop a room temperature mid-infrared laser which contains these quantum dots in the active region.
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DOI:
10.1007/978-1-4020-8425-6_31
发表时间:
2008-05
期刊:
影响因子:
--
作者:
[V. A. Solov'ev;P. Carrington;Q. Zhuang;K. Lai;S. Haywood;S. Ivanov;A. Krier]
通讯作者:
V. A. Solov'ev;P. Carrington;Q. Zhuang;K. Lai;S. Haywood;S. Ivanov;A. Krier
InSb quantum dots for the mid-infrared spectral range grown on GaAs substrates using metamorphic InAs buffer layers
使用变质 InAs 缓冲层在 GaAs 基板上生长的中红外光谱范围的 InSb 量子点
DOI:
10.1088/0268-1242/29/7/075011
发表时间:
2014
期刊:
Semiconductor Science and Technology
影响因子:
1.9
作者:
[Lu Q]
通讯作者:
Lu Q
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[V Solvev]
通讯作者:
V Solvev
InSb/InAs nanostructures grown by MBE using Sb2 and As2 fluxes
使用 Sb2 和 As2 助熔剂通过 MBE 生长 InSb/InAs 纳米结构
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[P Carrington]
通讯作者:
P Carrington
DOI:
10.1016/j.mejo.2008.06.058
发表时间:
2009-03
期刊:
Microelectron. J.
影响因子:
--
作者:
[P. Carrington;V. A. Solov'ev;Q. Zhuang;S. Ivanov;A. Krier]
通讯作者:
P. Carrington;V. A. Solov'ev;Q. Zhuang;S. Ivanov;A. Krier
共 9 条
Energy Resilient Manufacturing 2: Enabling Practical TPVs for Waste Heat Recovery
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批准号:EP/P012035/1
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项目类别:Research Grant
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资助金额:$77.58万
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财政年份:2017
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负责人:Anthony Krier
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依托单位:
TPVs for Waste Heat Recovery in Energy Resilient Manufacturing
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批准号:EP/M013707/1
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项目类别:Research Grant
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资助金额:$23.83万
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财政年份:2015
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负责人:Anthony Krier
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依托单位:
InAsNSb Dilute Nitride Materials for Mid-infrared Devices & Applications
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批准号:EP/J015849/1
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项目类别:Research Grant
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资助金额:$47.19万
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财政年份:2012
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负责人:Anthony Krier
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依托单位:
Dilute Nitride Type II Quantum Dot Materials for Solar Cells based on GaAs - Collaborative Research in Energy with South Africa
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批准号:EP/G070334/1
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项目类别:Research Grant
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资助金额:$51.12万
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财政年份:2009
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负责人:Anthony Krier
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依托单位:
Liquid Phase Epitaxial Growth of Dilute Nitrides for the Mid-infrared - Visiting Fellowship for S. Dhar
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批准号:EP/G000190/1
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项目类别:Research Grant
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资助金额:$9.37万
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财政年份:2008
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负责人:Anthony Krier
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依托单位:
Investigation of Hybrid III-V/II-VI structures grown by Liquid Phase Epitaxy for Mid-infrared Optoelectronic Devices
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批准号:EP/G000204/1
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项目类别:Research Grant
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资助金额:$9.09万
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财政年份:2008
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负责人:Anthony Krier
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依托单位:
国内基金
海外基金
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Ba固溶、碱金属掺杂和纳米InSb原位复合协同优化p型Mg3Sb2热电性能研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2023
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负责人:
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依托单位:
InSb量子点结构可控合成及红外光催化产氢性能研究
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批准号:22302181
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2023
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负责人:曾斌
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依托单位:
有机分子共混InSb量子点的光电探测器制备及器件物理研究
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批准号:--
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2022
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负责人:李京周
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依托单位:
Bi掺杂和InSb复合对p型Mg3Sb2的热电功率因子的优化研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2020
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负责人:
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依托单位:
基于原位反应的InSb化合物的微结构调控和电热输运性能研究
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批准号:51872102
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项目类别:面上项目
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资助金额:60.0万元
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批准年份:2018
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负责人:杨君友
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依托单位:
窄禁带半导体InSb低维纳米结构中的自旋调控
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批准号:11674312
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项目类别:面上项目
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资助金额:71.0万元
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批准年份:2016
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负责人:王晓蕾
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依托单位:
垂直InAs和InSb纳米线阵列的可控生长及应用特性研究
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批准号:U1404619
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项目类别:联合基金项目
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2014
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负责人:李天锋
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依托单位:
高质量InSb纳米线的分子束外延生长,微结构及输运特性研究
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批准号:61376015
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项目类别:面上项目
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资助金额:86.0万元
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批准年份:2013
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负责人:陈平平
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依托单位:
原位集成电荷探测器的InSb纳米线耦合双量子点的实验构筑及低温电学输运研究
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批准号:11274021
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项目类别:面上项目
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资助金额:90.0万元
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批准年份:2012
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负责人:黄少云
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依托单位:
InSb/Sb超晶格纳米线阵列制备与电输运性能研究
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批准号:10847115
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:2.0万元
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批准年份:2008
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负责人:杨友文
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依托单位: