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High performance MOSFETs, bipolar transistors, solar cells, heterostructure devices, IC technology and modelling

High performance MOSFETs, bipolar transistors, solar cells, heterostructure devices, IC technology and modelling
高性能 MOSFET、双极晶体管、太阳能电池、异质结构器件、IC 技术和建模
批准号:
36439-1998
负责人:
Selvakumar, Chetty
金额:
$1.96万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
财政年份:
1999
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
1999-01-01 至 2000-12-31

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High permittivity (high-k) material gate for MOSFETs and other devices
  • 批准号:
    36439-2006
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.24万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位:
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号:
    36439-2002
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.75万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位:
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号:
    36439-2002
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.75万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位:
Silicon-germanium and organic semiconductor devices
  • 批准号:
    36439-2002
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $1.75万
  • 财政年份:
    2003
  • 负责人:
    Selvakumar, Chetty
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
基于p-GaN/p-AlGaN堆栈式异质结深亚微米鳍栅增强型GaN p-MOSFETs新结构研究
碳化硅功率MOSFETs粒子辐射效应机理及低载流子寿命控制加固方法研究
  • 批准号:
    61904044
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    26.0万元
  • 批准年份:
    2019
  • 负责人:
    于成浩
  • 依托单位:
高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究
  • 批准号:
    61404098
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    26.0万元
  • 批准年份:
    2014
  • 负责人:
    宋庆文
  • 依托单位:
随机掺杂纳米SOI MOSFETs器件模型研究
  • 批准号:
    61306111
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    28.0万元
  • 批准年份:
    2013
  • 负责人:
    张国和
  • 依托单位: