High-energy Implantations in Inp and GaAs

MeV能量Si、Be和B的基础研究 将进行检查。 MeV能量 将在房间进行检查 温度转变为半绝缘或半导电 InP和GaAs衬底在能量范围1 - 20 MeV和剂量范围为5 x 1012 - 2 x 1015 cm-2。 从法向轴倾斜和旋转的影响 从主平面的角度，对MeV的形状 注入态西姆斯原子密度深度 将研究配置文件。 西姆斯测量将 在可变能量Si、Be和Fe上执行 植入样本，以找到四个统计 原子密度深度分布矩 即，投影范围（Rp），离散（Rp）， 偏度（y）和峰度（B）。 这四 统计矩将用于剖面 使用Pearson IV分布重建。 在我们的实验中发现的统计矩 研究将有助于预测MeV的能量 器械和建模所需的植入物轮廓。

Basic research on MeV energy Si, Be, and B implantations will be performed. MeV energy implantations will be performed at room temperature into semi-insulating or semi-conducting InP and GaAs substrates in the energy range 1 -20 MeV and dose range 5 x 1012 - 2 x 1015 cm -2. The effect of tilt from normal axis, and rotation angle from the major flat, on the shape of the MeV energy as-implanted SIMS atomic density depth profiles will be studied. SIMS measurements will be performed on the variable energy Si, Be, and Fe as-implanted samples to find the four statistical moments of the atomic density depth distributions namely, projected range (Rp), straggle ( Rp), skewness (y), and kurtosis (B). These four statistical moments will be used in profile reconstruction using the Pearson IV distribution. Experimental statistical moments found in our study will be useful to predict the MeV energy implant profiles required for device and modeling.