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High brightness InGaN/GaN green and red light emitting diodes using the moss-burstein effect to induce the condition of semiconductor transparency
高亮度InGaN/GaN绿光和红光发光二极管利用莫斯-伯斯坦效应诱导半导体透明条件
基本信息
- 批准号：461683-2013
- 负责人：
- 金额：$ 1.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Engage Grants Program
- 财政年份：2013
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2013-01-01 至 2014-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
To date, the lack of high performance GaN-based green and red light emitting diodes (LEDs) has severely
迄今为止，高性能GaN基绿色和红色发光二极管（LED）的缺乏已经严重影响了LED的性能。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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Photoelectrochemical water splitting on metal-nitride nanowire arrays: Breaking the efficiency bottleneck of solar-to-hydrogen conversion
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472228-2014 - 财政年份：2015
- 资助金额：
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- 批准号：
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463272-2014 - 财政年份：2014
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- 批准号：
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MOVPE 生长动力学和氮化物扩散机制的原位表征及其对 InGaN/AlGaN/GaN 量子结构光电性能的影响
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单芯片上单片集成的电泵浦全色和白色 InGaN/GaN 表面发射激光器
- 批准号：
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Paper-based microfluidic devices intergrating inGaN/GaN semiconductor microtubes for ultrasensitive detection of disease markers
集成在 GaN/GaN 半导体微管中的纸基微流体装置，用于疾病标记物的超灵敏检测
- 批准号：
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集成在 GaN/GaN 半导体微管中的纸基微流体装置，用于疾病标记物的超灵敏检测
- 批准号：
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Investigations on HVPE - grown InGaN quantum wells on non- and semipolar GaN
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