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High brightness InGaN/GaN green and red light emitting diodes using the moss-burstein effect to induce the condition of semiconductor transparency

High brightness InGaN/GaN green and red light emitting diodes using the moss-burstein effect to induce the condition of semiconductor transparency
高亮度InGaN/GaN绿光和红光发光二极管利用莫斯-伯斯坦效应诱导半导体透明条件
批准号：
461683-2013
负责人：
Mi, Zetian
金额：
$1.82万
依托单位：
McGill University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Engage Grants Program
财政年份：
2013
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-01-01 至 2014-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=542728
关键词：
brightnessInGaNGaNgreenred

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To date, the lack of high performance GaN-based green and red light emitting diodes (LEDs) has severely
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Ultrahigh efficiency green and red color InGaN nanowires for applications in high power projectors
  • 批准号：
    472228-2014
  • 项目类别：
    Collaborative Research and Development Grants
  • 资助金额：
    $9.91万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Mi, Zetian
  • 依托单位：
    McGill University
Alternative Energy Devices and Systems: From Phosphor-Free Solid State Lighting to Solar-Powered Artificial Photosynthesis
  • 批准号：
    355628-2013
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.99万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Mi, Zetian
  • 依托单位：
    McGill University
Tunable, full color tunnel junction nanowire light emitting diodes for smart lighting and display applications
  • 批准号：
    463272-2014
  • 项目类别：
    Strategic Projects - Group
  • 资助金额：
    $12.35万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Mi, Zetian
  • 依托单位：
    McGill University
Photoelectrochemical water splitting on metal-nitride nanowire arrays: Breaking the efficiency bottleneck of solar-to-hydrogen conversion
  • 批准号：
    463021-2014
  • 项目类别：
    Strategic Projects - Group
  • 资助金额：
    $11.47万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Mi, Zetian
  • 依托单位：
    McGill University
国内基金
海外基金
基于InGaN/GaN异质结极化势垒的高灵敏高速紫外-可见光探测及双色分辨研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    15.0万元
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
    吕泽升
  • 依托单位：
    中山大学
InGaN/GaN红光材料V坑缺陷主动调控机理与方法研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    姚威振
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
InGaN/GaN纳米线电致发光的栅极调控研究
  • 批准号：
    11804315
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    李舒啸
  • 依托单位：
    中国科学技术大学
具有复合垒层结构的InGaN/(In)GaN多量子阱结构设计和外延生长研究