Wellenleiterstrukturen und -Komponenten für mehrlagige integriert-optische SOI-Systeme

Ziel des Vorhabens is die Herstellung von SOI-Strukturen für die optische Nachrichtentechnik mit gegenüber der Standard-Technologie verringerten Kosten und Anforderungen an die Photolithographie sowie erhöhter Vielseitigkeit hinsichtlich einer Combination mit anderen Wellenleitermaterialien，-strukturen und Substratematerialien.大足是一个无定形的地方。在LPCVD- bzw中的多晶硅或氧化硅。PECVD-Verfahren aus Silan bzw.三氯硅烷通过RTP-Verfahren（卤素灯，激光）吸收或局部热处理后，可获得最佳光学亮度，Brechungs-index sowie der Minoritätsträger-Lebensdauer für optische Komponenten und Sys-teme optimiert。Ziel ist es zunächst，der im einkristallinen Silizium erreichbaren Well-lenleiterdämpfung um um 0.1 dB/cm im Spektrumpreich der optischen Nachrichtentech-nik möglichst nahe zommen. Weiterhin soll durch untersucht韦尔登，inwieweit die für Ramanlaser geforderten Materialeigenschaften，insbesondere die extreme niedrige Minoritätsträgerlebensdauer ggf.也可以通过激光（光学、热）回火来获得韦尔登，从而使材料的光学特性变得更好。在空间技术中，通过对SiO2的屏蔽，可以获得更好的韦尔登，但也可以获得10至100 nm的复杂折射率结构。在这种韦尔登下，一种更好的健康教育技术将与Ziel一起使用，这是一种更高的Brechungsindex kritische Realisierung von Richt-kopplern zu vereinfachen。大足是一个很有发展潜力的城市，但它并不适合政治。因此，在标准SOI技术中进行结构设计和结果特性分析是非常必要的。

Ziel des Vorhabens ist die Herstellung von SOI-Strukturen für die optische Nachrichtentechnik mit gegenüber der Standard-Technologie verringerten Kosten und Anforderungen an die Photolithographie sowie erhöhter Vielseitigkeit hinsichtlich einer Kombination mit anderen Wellenleitermaterialien, -strukturen und Substratmaterialien. Dazu wird amorphes bzw. polykristallines Silizium auf oxidiertem Silizium in LPCVD- bzw. PECVD-Verfahren aus Silan bzw. Trichlorsilan abgeschie-den und durch ganzflächiges oder lokales thermisches Nachbehandeln vorzugsweise mit RTP-Verfahren (Halogenlampen, Laser) bezüglich optischer Verluste, Brechungs-index sowie der Minoritätsträger-Lebensdauer für optische Komponenten und Sys-teme optimiert. Ziel ist es zunächst, der im einkristallinen Silizium erreichbaren Wel-lenleiterdämpfung um 0.1 dB/cm im Spektralbereich der optischen Nachrichtentech-nik möglichst nahe zu kommen. Weiterhin soll durch untersucht werden, inwieweit die für Ramanlaser geforderten Materialeigenschaften, insbesondere die extrem niedrige Minoritätsträgerlebensdauer ggf. auch lokal durch Tempern mit einem Laser (optisch, thermisch) eingestellt werden kann, ohne gleichzeitig die optischen Verluste des Ma-terials signifikant zu erhöhen. Weiterhin soll untersucht werden, wie sich durch Ab-scheidung über Kanten am SiO2 in einem der Spacertechnik verwandten Verfahren einfache Wellenleiterstrukturen, aber auch komplexere Wellenleiterstrukturen von wenigen 10 bis 100 nm erzeugen lassen. Darüber hinaus sollen Verfahren unter-sucht werden, die eine mehrlagige Wellenleitertechnik ermöglicht insbesondere mit dem Ziel, die wegen des hohen Brechungsindexes kritische Realisierung von Richt-kopplern zu vereinfachen. Dazu sind geeignete planarisierende Prozesse zu entwi-ckeln, die nicht auf Polierprozessen beruhen. Mit den so erzeugten Wellenleitern sind dann unterschiedliche, schon in Standard-SOI-Technik erzeugte Strukturen aufzu-bauen und die resultierenden Charakteristika zu vergleichen.