Expansion of MBE Machine to Include Dopants and Acquisition of Dopant Characterization Equipment
Expansion of MBE Machine to Include Dopants and Acquisition of Dopant Characterization Equipment
批准号:
8907989
负责人:
Hyatt Gibbs
金额:
$9.13万
依托单位:
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
1989
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
1989-09-01 至 1991-02-28
中文摘要
这笔拨款提供配件,扩展刚刚交付的Riber 32 MBE机器的功能,并购买材料表征仪器。机器扩展由两部分组成:一个热处理单元,产生更高的纯度和更高的吞吐量增长;和积液电池,电源和控制器,以允许添加掺杂剂。材料表征仪器将用于定量研究掺杂物的存在与mbe生长材料的电学和光学性质之间的关系;量化整体晶体质量,确定掺杂剂和载流子浓度和迁移率;并给出了载体类型和浓度作为材料深度的函数。这些仪器将扩大我们研究材料的基本电子和非线性光学特性的能力,以及制造和测试光子学的全光(非线性光学)和电光器件的能力。
英文摘要
This grant provides accessories that expand the capabilities of a just-delivered Riber 32 MBE machine and to purchase materials-characterization instrumentation. The machine expansion consists of two parts: a thermal treatment unit, resulting in higher purity and higher throughput growth; and effusions cells, power supplies, and controllers to permit dopants to be added. The materials-characterization instruments will be used to study quantitatively the relationship between the presence of dopants and the electrical and optical properties of the MBE-grown materials; to quantify overall crystal quality, to identify dopant and carrier concentration and mobility; and to give carrier type and concentration as a function of materials depth. These instruments will expand our capability to study the basic electronic and nonlinear optical properties of materials, and to fabricate and test all-optical (nonlinear optical) and electro-optic devices for photonics.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Nonlinear Photonic Crystal Nanocavities and Waveguides
-
批准号:0757975
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$28.35万
-
财政年份:2008
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Nonlinear Photonic Crystal Nanocavities and Waveguides
-
批准号:0501402
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$24.0万
-
财政年份:2005
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Toward Quantum Semiconductor Nanocavities
-
批准号:0200376
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$21.0万
-
财政年份:2002
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
TOWARD QUANTUM SEMICONDUCTOR MICROCAVITIES
-
批准号:9970106
-
项目类别:Continuing Grant
-
资助金额:$24.99万
-
财政年份:1999
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Semiconductor Physics and Photonics
-
批准号:9421517
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$28.5万
-
财政年份:1995
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Interface Physics
-
批准号:9501859
-
项目类别:Continuing Grant
-
资助金额:$27.02万
-
财政年份:1995
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Semiconductor Physics and Photonics
-
批准号:9113219
-
项目类别:Continuing Grant
-
资助金额:$31.11万
-
财政年份:1992
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Semiconductor Physics and Photonics
-
批准号:8808393
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$32.78万
-
财政年份:1988
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Support of 1987 Gordon Research Conference on Nonlinear Optics and Lasers, July 26 - July 31, 1987; Wolfeboro, New Hampshire
-
批准号:8714030
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$1.0万
-
财政年份:1987
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
US France Cooperative Research: Propagation of Laser Beams Through Intensity-Dependent Media
-
批准号:8612339
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$1.19万
-
财政年份:1987
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Expansion of a Molecular-Beam-Epitaxy Machine for Semiconductor Physics and Nonlinear Decisionmaking Research
-
批准号:8711548
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$27.3万
-
财政年份:1987
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
All-Optical Logic Devices
-
批准号:8620265
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$9.0万
-
财政年份:1987
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Optical Instabilities, Transverse Structure, and Conical Emission (Physics)
-
批准号:8602306
-
项目类别:Continuing Grant
-
资助金额:$19.53万
-
财政年份:1986
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
U.S.-France Cooperative Research: Propagation of Laser Beams Through Intensity-Dependent Media
-
批准号:8313178
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$1.37万
-
财政年份:1984
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Optical Circuitry Cooperative
-
批准号:8415522
-
项目类别:Continuing Grant
-
资助金额:$79.1万
-
财政年份:1984
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Fast Switch-On and Switch-Off of Optical Bistable Semiconductor Etalons
-
批准号:8317410
-
项目类别:Continuing Grant
-
资助金额:$39.03万
-
财政年份:1984
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Self-Focusing Optical Bistability, Rings, and Instabilities (Physics)
-
批准号:8216191
-
项目类别:Continuing Grant
-
资助金额:$34.06万
-
财政年份:1983
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Planning Study For an Industry/University Cooperative Research Center For Optical Circuitry
-
批准号:8314492
-
项目类别:Standard Grant
-
资助金额:$7.05万
-
财政年份:1983
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
Optical Bistability Experiments to Improve Solid-State Devices and Basic Understanding
-
批准号:8020303
-
项目类别:Continuing Grant
-
资助金额:$31.02万
-
财政年份:1981
-
负责人:Hyatt Gibbs
-
依托单位:
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
硅基InAs/GaSb超晶格红外探测材料的MBE生长与特性研究
-
批准号:62104236
-
项目类别:青年科学基金项目(C类)
-
资助金额:30.0万元
-
批准年份:2021
-
负责人:王楠
-
依托单位:
二维拓扑绝缘体薄膜锡烯的MBE原位生长、表征及拓扑性质的调控
-
批准号:12004099
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:24.0万元
-
批准年份:2020
-
负责人:宋业恒
-
依托单位:
LaMnO3/LaXO3超晶格L-MBE生长及应力和失配诱导的磁电耦合输运性能研究
-
批准号:11904198
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:26.0万元
-
批准年份:2019
-
负责人:魏浩铭
-
依托单位:
硅基深紫外AlGaN量子点的MBE可控生长及超材料光学特性的研究
-
批准号:61804163
-
项目类别:青年科学基金项目
-
资助金额:26.0万元
-
批准年份:2018
-
负责人:赵宇坤
-
依托单位:
基于自支撑衬底的GaN基共振隧穿二极管结构设计和MBE生长研究
-
批准号:61875224
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:61.0万元
-
批准年份:2018
-
负责人:边历峰
-
依托单位:
基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN的MBE生长及其光伏器件研究
-
批准号:61574161
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:65.0万元
-
批准年份:2015
-
负责人:王辉
-
依托单位:
长链非编码RNA-uc002mbe.2介导的HDACi凋亡效应及其在肝癌中的作用
-
批准号:81372634
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:85.0万元
-
批准年份:2013
-
负责人:杨辉
-
依托单位:
不同垒层厚度并掺杂的GaNAs基短周期超晶格太阳能电池与MBE生长研究
-
批准号:61274134
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:86.0万元
-
批准年份:2012
-
负责人:郑新和
-
依托单位:
内嵌量子点三结(Al)GaInP/InGaAs/Ge太阳电池材料的MBE生长及器件相关问题研究
-
批准号:61176128
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:62.0万元
-
批准年份:2011
-
负责人:陆书龙
-
依托单位:
原子层尺度上可控的铁电薄膜L-MBE制备及其光伏效应研究
-
批准号:61076060
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:38.0万元
-
批准年份:2010
-
负责人:杨平雄
-
依托单位: