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CAREER: Gate-Level Performance Optimization of Pipelines and General Sequential Circuits

CAREER: Gate-Level Performance Optimization of Pipelines and General Sequential Circuits
职业:管道和通用时序电路的门级性能优化
批准号:
9796305
负责人:
Sachin Sapatnekar
金额:
$6.52万
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
1997
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
1997-09-01 至 1999-07-31

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Collaborative Research: DESC: Type I: Towards Reduce- and Reuse-based Design of VLSI Systems with Heterogeneous Integration
  • 批准号:
    2324946
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $20.0万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    Sachin Sapatnekar
  • 依托单位:
Collaborative Research: SHF: Medium: Automated energy-efficient sensor data winnowing using native analog processing
  • 批准号:
    2212345
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 资助金额:
    $90.0万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    Sachin Sapatnekar
  • 依托单位:
SHF: Small: Enchancing the Reliability of Mixed-Signal Integrated Circuits
  • 批准号:
    1714805
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $45.0万
  • 财政年份:
    2017
  • 负责人:
    Sachin Sapatnekar
  • 依托单位:
SHF: Small: Collaborative Research:Variation-Resilient VLSI Systems with Cross-Layer Controlled Approximation
  • 批准号:
    1525925
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $21.0万
  • 财政年份:
    2015
  • 负责人:
    Sachin Sapatnekar
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
二次外延势垒层的新型p-gate GaN HEMT器件栅极可靠性研究
直接带隙In2Se3、GaTe纳米片/MoS2复合薄膜的制备及饱和吸收性能的研究
  • 批准号:
    2020A151501861
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    10.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    龙慧
  • 依托单位:
二次外延AlGaN势垒层的增强型p-gate GaN HEMT新结构研究