Experimental research of high transconductance MOS field effect transistors fabricated by SIMOX technology
SIMOX技术制作高跨导MOS场效应晶体管的实验研究
基本信息
- 批准号:01850005
- 负责人:
- 金额:$ 3.52万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
- 财政年份:1989
- 资助国家:日本
- 起止时间:1989 至 1991
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In this year, measurement of ring oscillators and frequency dividers, which have been designed and fabricated using SIMOX (Separation by IMplanted OXygen) technology during last two years, have been carried out for evaluating their electric characteristics and performance.Main features of the SOI substrates are their thinness of the buried oxide layers of 80 nm, compared to the previous ones of 500 nm. As a result of thinned buried oxide layers, it has been verified that the short channel effects have been successfully suppressed because of the shielding effect of electric flux from drain electrode by the substrate. Measurement results of the ring oscillators showed that the decrease of the delay time of scaled ring oscillators saturates at the gate length of 0.2 um and less. Thissaturation is considered to take place, as the stray capacitance between gate electrode sides and drain/source electrode becomes dominant, compared with the intrinsic gate oxide capacitance. This implies that the vertical scaling of the gate electrode is first important for the small devices with gate length less than 0.2 um.Measurement that also been carried out for four types of frequency dividers, witch showed that a new circuit out of four is best in performance. The new circuit with 0.15 um gate length operated as high as 1 GHz with power consumption of 50 uW at the supply voltage of 1 V. This is due to the low stray capacitance of witing, as well as reduction in the number of FETs used in the new divider.
今年,对过去两年中使用SIMOX (Separation by植入式氧气分离)技术设计和制造的环形振荡器和分频器进行了测量,以评估其电气特性和性能。SOI衬底的主要特点是其埋层厚度为80 nm,而以前的埋层厚度为500 nm。由于埋设的氧化层变薄,衬底对漏极电通量的屏蔽作用成功地抑制了短通道效应。环形振荡器的测量结果表明,在栅极长度小于0.2 um时,环形振荡器的延迟时间减少达到饱和。这种饱和被认为是发生的,因为栅极两侧和漏极/源极之间的杂散电容与固有栅极氧化物电容相比变得占主导地位。这意味着栅极电极的垂直缩放对于栅极长度小于0.2 um的小型器件来说是最重要的。对四种分频器进行了测试,结果表明,四种分频器中新型分频器的性能最好。该电路栅极长度为0.15 um,在1 V电源电压下工作频率高达1 GHz,功耗为50 uW。这是由于低杂散电容的写作,以及减少了在新的分压器中使用的场效应管的数量。
项目成果
期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Minoru Fujishima: "1GHz 50μW 1/2 Frequency Dirider Fabricated on Ultra-thin SIMOX Substrate" 1992 VLSI Circuit Symposium Technical Digest.
Minoru Fujishima:“在超薄 SIMOX 基板上制造的 1GHz 50μW 1/2 频率二极管”1992 年 VLSI 电路研讨会技术文摘。
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- 通讯作者:
Minoru Fujishima: "1GHz 50μW 1/2 Frequency Divider Fabricated on Ultra-thin SIMOX Substrate" 1992 VLSI Circuit Symposium Technical Digeat.
Minoru Fujishima:“在超薄 SIMOX 基板上制造的 1GHz 50μW 1/2 分频器”1992 VLSI 电路研讨会技术摘要。
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- 作者:
- 通讯作者:
Minosu Fujishima: "1 GHz 50 muW 1/2 Frequency Divider Fabricated on Ultra-shin SIMOX Substrate" 1992 VLSI Circuit Symposium Technical Digest. (1992)
Minosu Fujishima:“在超薄 SIMOX 基板上制造的 1 GHz 50 muW 1/2 分频器”1992 年 VLSI 电路研讨会技术文摘。
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- 作者:
- 通讯作者:
Minoru Fujishima: "Semi-analytical Modeling of Dynamic Performance of Ultra-thin SIMOX CMOS Circuit Bascd on Equivalent Linear Resistance" 1992 VLSI Technical Symposium Technical Digest.
Minoru Fujishima:“基于等效线性电阻的超薄 SIMOX CMOS 电路动态性能的半解析建模”1992 年 VLSI 技术研讨会技术文摘。
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- 影响因子:0
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Hiroshi Miki: "Subfemtojoule Deep Submicrometer-Gate CMOS Built In Ultra-Thin Si Film on SIMOX Substrate" IEEE Transaction on Electron Devices. 38. 373-377 (1991)
Hiroshi Miki:“在 SIMOX 基板上内置超薄硅薄膜的亚飞焦深亚微米门 CMOS”IEEE Transaction on Electron Devices。
- DOI:
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