Verlustarme optische Systeme mit polarisationsunabhängigen SOI-Wellenleitern und Koppelstrukturen für die Kommunikations- und Messtechnik

ZIELL DES Vorhabens ist die Herstellung von neuartigen，aeh modierbarbaren monomodigen SOI-Wellenleiterstrukturen für die Optische Nachrichtentechnik Die Optische Nachrichtentechnik Anforderungen an Phoopopletie and Are tzTechnik Bezüglich StrukturauflöSong and Ktenrauhigkeit。本文介绍了一种新型的热化学氧化技术--硅化硅化技术(LOCOS)。在此基础上，提出了一种新的治理方法，即：将二氧化硅的氧化和再利用转化为最低限度的虫害，将最低限度的污染控制在最低限度。在此基础上，提出了一种新的技术方案，即激光技术方案、激光技术方案和激光技术方案。在2-Photonen-Anregung entworfen，aufgebaut and untersuht den的基础上，您可以在Silizium中找到更多的信息。在这一过程中，我们发现了许多新的技术和技术，其中包括：我们的技术条件和技术条件。它是一种新型的氧化锌材料，它吸收了1微米的Aufweisen，Lassen Sich abstimmbare Wellenleiterstrukturen(~10 mm)，而不是Koppler and RingResatore n Hoher Güte realisieren。

Ziel des Vorhabens ist die Herstellung von neuartigen, auch modulierbaren monomodigen SOI-Wellenleiterstrukturen für die optische Nachrichtentechnik mit verringerten Anforderungen an Photolithographie und Ätztechnik bezüglich Strukturauflösung und Kantenrauhigkeit. Dazu sollen in SOI-Schichten strukturierte Silizium-Wellenleiterkerne durch eine nachfolgende lokale thermische Oxidation (LOCOS-Technik) in ihrem Querschnitt verringert werden. Dabei entsteht gleichzeitig eine verlustarme Mantelschicht, die aufgrund der glättenden Eigenschaften der thermischen Oxidation und des gegenüber Luft erhöhten Brechungsindexes von SiO2 die Streuverluste vermindert, ohne dass sich der zulässige minimale Krümmungsradius für solche Strukturen, wie er für scharfe Wellenleiterkrümmungen z.B. für Koppler, Verzweigungen oder Ringresonatoren erforderlich ist, wesentlich erhöht. Durch die Möglichkeit, mit diesem Verfahren auch getaperte Strukturen und sehr kleine Querschnitten zu realisieren, sollen mit diesem Verfahren auch Querschnittsänderungen und Taperstrukturen integriert werden, wie sie zur Intensitätssteigerung (Raman-Laser, Detektoren) und zum Übergang z.B. auf photonische Kristalle erforderlich sind. Insbesondere sollen dann Detektoren in Silizium auf Basis der 2-Photonen-Anregung entworfen, aufgebaut und untersucht werden. Um elektro-optisch modulierbare Wellenleiterstrukturen zu realisieren, sollen anstelle des SiO2-Mantels undotierte isolierende und Al-dotierten leitfähige ZnO-Schichten in Mehrlagentechnik abgeschieden werden. Da diese ZnO-Schichten ein ausgeprägtes c-Achsen-Wachstum und damit einen starken elektro-optischen Effekt sowie geringe Absorptionsverluste bei Wellenlängen oberhalb von 1µm aufweisen, lassen sich abstimmbare Wellenleiterstrukturen (~10mm), aber auch Koppler und Ringresonatoren hoher Güte realisieren.