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Balanced Full CMOS LSI for Ultra High Performance and Ultra Low PowerConsumption

Balanced Full CMOS LSI for Ultra High Performance and Ultra Low PowerConsumption
平衡的全 CMOS LSI，实现超高性能和超低功耗
批准号：
18002004
负责人：
OHMI Tadahiro
金额：
$361.5万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18002004/
关键词：
LSIMOSFET半導体製造プロセス半導体電子工学半導体製造工学

项目摘要

项目成果

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翻译
(1)(551)面SOI基板上にチャネルの方向をpMOSFETは<110>方向にnMOSFETは<110>方向に作製しn-MOSFETとp-MOSFETの寸法を一致させたバランスドCMOS構成、(2)Accumulation型のMOSFET、(3)Si表面の原子オーダの平坦化、(4)ラジカル反応を用いたあらゆる面方位に高品質なSiO_2/Si_3N_4の形成、(5)ソース・ドレイン電極の直列抵抗を2桁低減、これらの開発成果により超高速・超低消費電力バランスドCMOSを実現した。
英文摘要
(1)(551)面SOI基板上にチャネルの方向をpMOSFETは<110>方向にnMOSFETは<110>方向に作製しn-MOSFETとp-MOSFETの寸法を一致させたバランスドCMOS構成、(2)Accumulation型のMOSFET、(3)Si表面の原子オーダの平坦化、(4)ラジカル反応を用いたあらゆる面方位に高品質なSiO_2/Si_3N_4の形成、(5)ソース・ドレイン電極の直列抵抗を2桁低減、これらの開発成果により超高速・超低消費電力バランスドCMOSを実現した。
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会议论文
Angle-resolved Photoelectron Study on the Structures of Silicon Nitride Films and Si_3N_4 / Si Interfaces Formed using Nitrogen-Hydrogen Radicals
氮化硅薄膜结构和氮氢自由基形成的Si_3N_4/Si界面的角分辨光电子研究
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Journal of Applied Physics 104
影响因子： --
作者： [Tsuneo Okubo, Junichi Okamoto, Akira Tsuchida, Takashi Aratani]
通讯作者： Takashi Aratani
Charac- terization for High-Performance CMOS Using In-Water Advanced Kelvin -Contact Device Structure
使用水中先进开尔文接触器件结构对高性能 CMOS 进行表征
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Vol.22,No.1
影响因子： --
作者： [R. Kuroda, A. Teramoto, T. Komori, S. Sugawa, T. Ohmi]
通讯作者： T. Ohmi
コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
接触形成方法、半导体装置的制造方法以及半导体装置
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Atomically Flat Gate Insulator / Silicon (100) Interface Formation Technology for High Performance LSI
用于高性能LSI的原子平栅绝缘体/硅(100)界面形成技术
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Takahiro Fuse, Yoshiaki Ono, Akinobu Teramoto]
通讯作者： Akinobu Teramoto
共 57 条
    Study on fabrication process of 3-D structured MOS transistor having atomically flat gate insulator/Si interface
    • 批准号：
      22000010
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
    • 资助金额：
      $394.7万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      OHMI Tadahiro
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Ultra-High-Speed and High-Precision Integration Circuit Using Si(110) Surface Metal Substrate SOI Balanced-CMOS
    • 批准号：
      14205052
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $35.44万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      OHMI Tadahiro
    • 依托单位：
      TOHOKU UNIVERSITY
    Plasma process technology controlling dissociation of process gas for realizing step-by-step investment semiconductor manufacturing
    • 批准号：
      12355014
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $25.86万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      OHMI Tadahiro
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Development of ultra-high-speed LSI with gas-isolated-interconnects and Ta metal gate transistors on SOI substrate
    • 批准号：
      12305020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $26.62万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      OHMI Tadahiro
    • 依托单位：
      Tohoku University
    国内基金
    海外基金
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号：
      2026JJ60454
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      桂庆忠
    • 依托单位：
      湖南大学
    SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      于安宁
    • 依托单位：
      重庆科技大学
    SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
    高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
    • 批准号：
      2024JJ5044
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      吴丽娟
    • 依托单位：
      长沙理工大学